Oberflächenanalyse mit Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) – Präzise Chemie bis in den Nanometerbereich





Hochauflösende, zerstörungsfreie Oberflächen- und Tiefenanalysen für metallische, halbleitende und oxidische Materialien – ideal für Qualitätssicherung, Materialentwicklung und Fehleranalyse.







Das IFW Dresden bietet mit der röntgenangeregten Photoelektronenspektroskopie (XPS) eine oberflächenempfindliche, chemische Analyse mit einer Eindringtiefe bis zu 10 nm. Die Methode erlaubt eine präzise Bestimmung der Elementzusammensetzung und chemischen Bindungszustände, inklusive Tiefenprofilen bis 500 nm durch wiederholtes Sputtern. Ergänzt wird das Angebot durch die zerstörungsfreie Analyse von Schichtstrukturen mittels winkelabhängiger XPS und die Valenzzustandsanalyse. Unter Ultrahochvakuumbedingungen können zudem metallische oder organische Dünnschichten direkt vor Ort präpariert werden.







Ihre Vorteile

• Höchste Oberflächenempfindlichkeit bis 10 nm

• Detaillierte chemische Bindungsanalyse

• Tiefenprofile bis 500 nm

• Zerstörungsfreie Schichtanalyse durch winkelabhängige XPS

• Dünnschichtpräparation im UHV direkt vor der Analyse

• Geeignet für komplexe Materialsysteme (Metalle, Halbleiter, Oxide)





Methoden & Equipment



• XPS PHI 5600-CI mit 150 mm hemisphärischem Analysator

• Mehrkanal-Detektor (16 Kanäle)

• Monochromatische Al Kα-Quelle, umschaltbar auf Al-/Mg-Anoden

• Valenzzustandsanalyse mit Helium-Gasentladungslampe

• Proben bis 20 mm Ø, 10 mm Dicke; Pellets, Dünnfilme, Pulver



Anwendungsfelder



• Qualitätskontrolle von Oberflächen und Beschichtungen

• Analyse natürlicher Oxidschichten und Korrosionsprodukte

• Charakterisierung von Dünnschichtsystemen

• Fehlersuche bei Schichtadhäsion und Materialversagen

• Entwicklung und Optimierung von Funktionsoberflächen